第724章 真假3d芯片(2/4)

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案,各层之间是一致的。

      于是内存芯片的层数,就开始了不断增长的过程。后世投入商用的层数,高达256层了。

      在3d封装技术的加持下,内存芯片上的有效晶体管密度,算起来,早就低于1纳米了,甚至低于0.1纳米!

      林晶圆的多层封装技术,经过近两年的探索,即将进入实用阶段。

      多层封装中最困难的步骤,就是层间打孔技术。

      这个技术一突破,剩下的就没有什么了。

      在3d封装技术的加持下,林晶圆的内存产品,即将面世。

      张百华团队,将被独立出来,成立内存事业部,将来甚至会被分拆。

      虽然flash闪存市场还没有成气候,但仅仅是ram内存一块,其市场规模和容量,就达到数千亿美元级别,接近,甚至超过tft液晶了。

      这个市场,林晶圆无法独享,但是先手一步棋的价值,至少以百亿美元计算。

      —————————

      “师姐,张师兄他们的内存马上要面世了,你的真三维芯片什么时候面世呢?”

      一群人来了兴致。

      真三维芯片,肯定比假三维来得高大上啊。

      “嗯,我也不知道。现在有很多困难。我感觉弄不好十年之内都实用不了。”

      魏惜寒团队研究的东西,被后世称为fi,和gap。至于是否真的是同一个东西,就连成永兴也无法确认。

      3维芯片面世的主要难点在于加工成本,和材料。

      虽然3维结构的半导体原件,有很多优点,例如更低的电流损耗,更高的密度等。但不是所有半导体器件都能做成三维结构。

      在同一层电路上,有些是三维结构,有些是二维的,那么在向上加工的时候,就会在高层空间上产生浪费现象。

      所以,采用3维芯片结构,获得的收益,远远低于付出的加工成本。后世是在14纳米遇阻的情况下,硬着头皮突破的。

      “就这样光研究,没有产出?”

      大家闻言,失望之情,溢于言表。

      “暂时是这样,不过也不能算没有收获。至少专利申请了一大堆。”

      即使面对的曾经的队友,学妹,魏惜寒还是没有实话实说。

      一些研究成果,已经有了相当的实用性。

      但技术什么时候能够商用,则取决于公司的战略需要。

      随着时间的流逝,林晶圆的立身之本,lele技术慢慢曝光了。3d技术,就是新的杀手锏和战略武器。

      不过据魏惜寒估计,这个时间不会来得太晚。

      首先,林晶圆不是一个军事化组织,保密协议签个三五年也就到头了。再多根本不现实。

      lele开发团队,已经出现了人员流失。

      这些团队成员,他们只要点头,百万年薪,移民,股票等,都有人送上门。

      指望民间企业,长时间封存和保守商业秘密,根本不现实。

      这点,就是台积电都做不到。

      另外,林晶圆已经被人盯上了。

      随着lele技术的逐渐成熟,林晶圆在0.8微米的产线上,成功实现0.2微米级别的样品的消息,成了爆炸性新闻。

      在1995年,世界上的主流芯片制造技术,正在从0.5微米向0.35微米过渡。0.2微米芯片的消息,对全世界来说。都是一个震撼弹。

      唯一让各芯片大厂欣慰的是,林晶圆的体量不算大,目前只有两条中小规模的晶圆厂量产。尽管他们还在拼命扩产能,产能落地,还需要时间。

      但林晶圆给业界带来的压力,并不算小。

      很多芯片制程落后的厂家,主动联系林晶圆,寻求合作机会。

      le

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